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出展者によるセミナー



STS8











会議棟 6F 607+608会議室

12月17日（金）15:00-16:30

STS 先端デバイス・プロセス セッション

先端デバイスの現状と将来の展望

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概要



モバイル・IOT機器・HPC・Automotiveの高性能化の為に、ロジック・メモリ・イメージセンサデバイスの開発が続けられています。これら最先端デバイス技術を把握する事が、デバイスを使う機器、デバイス自体、デバイスを製造する装置市場において重要です。本セッションでは、第一線の技術者により最新技術動向・開発結果を紹介して頂きます。



プログラムアジェンダ

キオクシア 冨田寛
ソニーセミコンダクターソリューションズ 岩元勇人
ルネサスエレクトロニクス 松浦正純
荏原製作所 南部勇雄
SCREENセミコンダクターソリューションズ 佐藤雅伸
アクセリス・テクノロジー 中島良樹
Socionext 三谷純一

15:00-15:30



先端デバイスプロセスの最新状況

東京工業大学

工学院

教授

若林 整

先端デバイスプロセスの最新状況について、高性能ロジックデバイスを中心に、Si-FinFETやSiGe-FinFET, Gate-All-Around (GAA)
Nanosheet, Forksheet, Buried-Power Rail, Power-Delivery Network, p/n- or
n/p-Stacked FETs, 2D-FETsについて、プロセス技術と共に紹介する。

15:30-16:00



Scaling Challenges and Opportunities for DRAM and 3D-NAND

マイクロンメモリジャパン

Technology Development

DMTS

浜田 耕治

メモリは、cloud computing、mobile devices、big
data、AI、及び関係するエリアの急速な成長を可能にする重要な構成要素です。DRAMは高速で低電力のシステムを実現するために重要な役割を果たし続けています。
本講演では、DRAMの基礎に焦点を当て、従来の1T /
1Cテクノロジーのスケーリングに対する重要な課題を紹介し、主要な要素のスケーリングに対する最近のプロセス革新について議論する。一方、NANDフラッシュはメモリ密度スケーリングをリードしており、近年3D
NANDがリリースされました。3D NAND のスケーリングに関するいくつかの重要なプロセス及びデバイスの課題について紹介する。

16:00-16:30



日本初、ゲート型商用量子コンピュータの始動

日本アイ・ビー・エム

東京基礎研究所

Senior Manager

山道 新太郎

東京大学とIBMは、日本初のゲート型商用量子コンピュータ IBM Quantum System One
を新川崎・創造のもりに導入し、稼働を開始。量子コンピュータのハードウェアはまだ開発競争の最中だが、量子コンピュータの利活用に向けた応用研究と、量子アルゴリズムを自在に駆使できる人材育成も重要であり、安定稼働し日本企業や大学の利用がすでに始まっている本システムの意義はそこにある。さらに両者は次世代量子コンピュータの素材や基幹部品の研究開発を行うHardware
Test Centerを開設。本セミナーではこれらの活動全般について紹介する。

















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