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高効率エネルギー変換によるより環境に優しい未来


GAN パワー　　　　　　　インターナショナル


クリーンエネルギー変換の先駆者

製品


高効率パワーエレクトロニクス


パワーエレクトロニクス


未来に向かって

アプリケーション


次世代パワー半導体デバイス


GAN HEMT


超高周波スイッチング

製品
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GAN パワーデバイスが新たな機会をもたらす



再生可能エネルギー



再生可能なクリーンエネルギーで、将来の世代へ環境に優しい未来をもたらすという当社の取り組みです。



エネルギーの変換



あらゆる種類のエネルギーは、人間が使用する前に電力に変換されます。



効率性の向上



GaN HEMTは、効率を向上させエネルギー変換損失を削減するために、シリコンパワーデバイスから置き換えられるよう設計されています。




GANパワーデバイスが新たな機会をもたらします



高い効率
ステムプロファイルの低減
高いシステム電力


GaN を選ぶ理由




GAN パワーデバイスを使用する利点




高効率

GaN 材料の臨界磁場はシリコンの10倍です。同じ定格電圧で遥かに低いON抵抗を実現できます。

高速スイッチング

スイッチング速度が速いためパワーエレクトロニクスシステム設計者は受動部品の総体積を削減でき電力が大幅に向上します。

優れた熱性能

GaN 材料の優れた熱特性によりヒートシンクを小型化したりヒートシンクなしでも済むようになりシステムのサイズと重量がさらに削減されます。

コスト削減

シリコン基板を使用した GaN HEMT は古いシリコン工場で製造できるため製造コストが低く抑えられます。また、GaN HEMT
はシリコンに比べてデバイスあたりの占有面積が小さいため近い将来にはシリコンよりもユニットコストが低くなることが期待されます。



GANPOWER のビジョン

当社のビジョンは、GaN デバイス技術と GaN ベースのパワーエレクトロニクスシステムにおける業界リーダーとしての地位を確立することです。GaN HEMT
パワー デバイス設計、コントローラおよびドライバ IC 設計、パワーエレクトロニクスシステム設計における当社の強みを統合、活用することで、垂直統合設計バリュー
チェーンを構築し、お客様に高度な製品を提供します。

GAN パワーインターナショナル

GaN パワーインターナショナルはカナダの連邦政府に登録された会社です。

TEL : 043-241-2381

info@iganpower.jp

260-0027 千葉市中央区新田町33-1　ベルファースト4F

（代理店）

クロスライトソフトウェアインク日本支社

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