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凯发K8


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东方之芯 自主创芯

TO BE THE BEST PARTNER
FOR YOUR MEMORY SOLUTION

关于凯发 介绍视频





 * 先进的技术水平
   
   Cutting-edge Technology
   
   拥有1xnm先进制程
   聚焦高附加值产品


 * 多元的市场布局
   
   Diversified market layout
   
   对物联网、智能硬件应用、汽车电子、
   医疗监控等新兴领域的布局和开拓，
   形成多元化的市场布局


 * 严格的品质管控
   
   Strict quality control
   
   整合各方资源，优化整体制造环境，
   形成良好的处理闭环，
   推动产品不断精益求精


 * 自主的创新能力
   
   Independent innovation ability
   
   前瞻性产品研发，布局前沿技术，
   增强技术和产品持续创新能力

关于凯发


凯发半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。


 


作为FABLESS芯片企业，凯发半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

Dosilicon Co., Ltd. was founded in 2014. It is headquartered in Shanghai with
branches or subsidiaries in Shenzhen, Nanjing, Hong Kong, and South Korea. We
are determined to become a leading memory company serving customers all over the
world.

As a Fabless company, Dosilicon focuses on the research and development , design
and sales of NAND Flash /NOR Flash /DRAM carrying independent intellectual
property. Currently, Dosilicon is one of few memory companies who can provide
NAND / NOR / DRAM design process and product scheme at the same time in China.


成为中国领先的存储芯片设计企业，为日益发展的存储需求提供可靠高效的解决方案

Be a leading Fabless Memory Solution Provider to support the ever growing
requirements of reliable and cost effective data storage solutions

应用场景
 * 工业控制
   高可靠性，保证产品质量，提高效率
   企业网关/5G基站/工控屏
   
   
   工业控制
   
   Industrial control

 * 移动设备
   高效节能，说走就走的贴身伙伴
   智能充电宝/蓝牙耳机/移动支付
   
   
   移动设备
   
   Mobile devices

 * 网络通讯
   千家万户，信息流量畅通无阻
   智能网关/千兆路由器/通讯模块
   
   
   通讯网络
   
   Communication network

 * 物联网
   物物相联，加速助力人工智能
   智能音箱/智能手表/智能门禁
   
   
   物联网
   
   Internet of Things

 * 安防
   高清图像及时传送，掌握道路安全
   高清交通监控/执法图像记录/儿童宠物看护
   
   
   安 防
   
   Security


开拓创新、诚实敬业、顾客至上、团结协作、人才为本、学习成长


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凯发产品
1 RANK


DDR3(L)

具备高传输速率以及低工作电压，可提供1.5V/1.35V两种电压模式。

1 RANK


MCP

具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计。

1 RANK


LPDDR

LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4x的VDDQ更低至0.6V。

1 RANK


SPI NAND FLASH

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块。

1 RANK


PPI NAND FLASH

兼容传统的并行接口标准，高可靠性，多种封装方式。

1 RANK


SPI NOR FLASH

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式，DTR传输模式和多种封装方式。

1 RANK


DDR3(L)

具备高传输速率以及低工作电压，可提供1.5V/1.35V两种电压模式。

1 RANK


MCP

具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计。

1 RANK


LPDDR

LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4x的VDDQ更低至0.6V。

1 RANK


SPI NAND FLASH

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块。

1 RANK


PPI NAND FLASH

兼容传统的并行接口标准，高可靠性，多种封装方式。

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SPI NOR FLASH

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式，DTR传输模式和多种封装方式。



01
2024-09-19
政府出台新政策，加强半导体行业作风建设

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02
2024-09-19
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03
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04
2024-09-18
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2024-09-17
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08
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北京讯——在中国共产党的领导下，中共中央近日召开重要会议，强调加强半导体行业的领导，以推动科技自主创新，促进中国...

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